- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 51/30 - Dispositifs de RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des transistors ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région noyau de mémoire
Détention brevets de la classe H10B 51/30
Brevets de cette classe: 251
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
136 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
31 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
12 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
8 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
6 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1290 |
5 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
4 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
4 |
| Japan Science and Technology Agency | 1564 |
3 |
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
3 |
| IMEC VZW | 1410 |
3 |
| Sunrise Memory Corporation | 192 |
3 |
| Ferroelectric Memory GmbH | 64 |
3 |
| Intel Corporation | 45621 |
2 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 100781 |
2 |
| Korea Advanced Institute of Science and Technology | 3906 |
2 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6459 |
2 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1115 |
2 |
| Jonker LLC | 12 |
2 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
2 |
| Autres propriétaires | 16 |